RFN10NS6SFHTL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RFN10NS6SFHTL |
---|---|
Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.53 |
10+ | $1.37 |
100+ | $1.0684 |
500+ | $0.8826 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | LPDS |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | 169pF @ 0V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RFN10 |
RFN10NS6SFHTL Einzelheiten PDF [English] | RFN10NS6SFHTL PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
DIODE GEN PURP 350V 10A LPDS
ROHM TO263
SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFN1
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
DIODE GEN PURP 800V 10A LPDS
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
RFN10NS3S TL ROHM
RFN10BP3S TRR ROHM
DIODE GEN PURP 800V 10A LPDS
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
RFN10T2D FF67 ROHM
RFN10BP3S ROHM
DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RFN10NS6SFHTLRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|